国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc
上传者:佚名(120092)| 上传时间:2019-05-05 18:51:56

1、国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc(资料4)内容详情:与结晶潜 热的产生,正常传递密切相关,结晶速度控制不当,会严重干扰内加热炉所形 成的温度分布,进而影响单晶正常生长,本项目在对热场配置进行优化时,兼 顾了采用合适的结晶速度这一重要参数。、固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状,这对生长不同晶向晶体、降低位错密度,提高 成品率都十分重管相对于加热 炉的相对移动速度)是另一个重要的技术参数:因为熔体结晶的快慢与结晶潜 热的产生,正常传递密切相关,结晶速度控制不当,会严重干扰内加热炉所形 成的温度分布,进而影响单晶正常生长,本项目在对热场配置进行优化时,兼 顾了采用合适的结晶速度这一重要参数。、固液界面特种加热炉 可很好调整固液界面形状,这对生长不同晶向晶体、降低位错密度,提高 成品率都十分重要。单晶生长过程中固液界面形状的控制是提高成品率的关键技 术。在水平单晶生长过程中,无法完全按器件制造所要求的晶向生长,即晶体生 长方向与晶片的晶向有一定的夹角,这导致了水平GaAs单晶的切片,一般都要 “斜”切。你正在查看的是:?国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc(推荐阅读)

2、s研究开发经验的专业人员组成的销售队 伍,这支队伍熟悉本项目产品各项性能指标,了解客户需求,比较利于开展工作。 同时,由于本项目产品性价比高于国外同类产品,因此在国际上具有强竞争力。 目前产品已经进入国际市场,被日本住友电工集团、韩国Prowtech公司等世界 知名企业应用。日本住友电工集团一向对外来产品要求极为严格,本公司产品能够大量进入该集团,说明本产品极具竞争力。 管理优势:我公司拥有一支素质高、业务精、专业搭配合理的管理队伍,% 的公司员工具有大专以上学历。管理团队知识层次高,具有高度的凝聚力、勇于 开拓的创新性和丰富的管理经验。高素质的员工群体、现代科学的管理方式、可 靠的质量保证体系的完美结合,使产品质量得到充分保证。公司在日常生产和管 理中,注重提升员工的质量意识,在员工头脑中筑起了质量保证的长城。公司的 质量控制管理体系严格按照ISO施行,公司已于年通过该认证。 公司按照建立现代企业制度的要求,制定了一整套完备的管理制度,包括人事管 理制,温馨提示:【推荐】国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc(全屏阅读)由会员自主上传。

3、导轨和同步进电机带动精密丝杠组 合),可保证在长达~天的单晶生长过程中温控精度℃,炉体移动速度 最低时(㎜小时)爬行不大于μm。采用优质SiC管支撑石英反应管使石 英反应管长期处于高温(~℃)下时膨胀度不至影响单晶生长(反应管外径 扩大不超过㎜)。 、石英舟的预处理技术 HBGaAs单晶生长是在密封于石英反应管中的石英舟中进行的,因此首先要 解决的是石英舟与熔体的粘舟问题。只有不粘舟才能保证单晶生长顺利,不出 多晶、孪晶。生长完成后,晶体易从舟中取出(脱舟良好);且生长的晶体完整 性好(EPD符合产品技术指标)。这个问题曾是困扰HBGaAs单晶生长的一个较 严重问题。很多单位曾试用过石英舟表面涂碳,“碳舟”虽可避免粘接问题,但 碳易大量掺入GaAs晶体成为有害杂质,从而使晶体报废。本项目承担单位国瑞 公司经多年研究、实践找到了解决“粘接”问题的良好方法,成为本公司一项 独特的专有技术石英舟预处理技术,该项技术主要是在适当的溶剂中进行 热处理,它可保证,版权说明:【精】国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc版权由上传者解释。

4、)() Ga(L)+SiO(S)=SiO(g)+GaO(g)() Si(S)+SiO(S)=SiO(g)() LSg分别表示液、固、气相。 反应()使Si进入GaAs,反应()使部分Si与SiO反应生成气相SiO 逸出,二者差值,造成GaAs中Si的并入。 高温区的气相GaO扩散到中温区发生如下反应: GaO(g)+As(g)=GaO(S)+GaAs(S)() SiO(g)=SiO(S)() 反应()消耗了GaO,使反应()向右继续进行,加剧了Si向GaAs中 的并入。反应()与温度关系密切,如将温度升到℃以上,反应()基 本停止,从而可抑制反应()向右方进行:故将该温区温度维持在℃以上。 我们对多段炉的设计,各段炉温的单独控制及其协调”配合”控制也进行 了反复实验研究并不断进行了优化,对提高单晶生长成品率发挥了重要作用。 单晶生长速度有时也称为结晶速度(本工艺中视为石英反应管相对于加热 炉的相对移动速度)是另一个重要的技术参数:因为熔体结晶的快慢,下载说明:关于国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc资料下载需支付相应的费用。

5、在长达天的单晶连续生长中,熔体与舟不粘接,单晶生长 完成后,单晶顺利脱舟。 、纵向温度分布技术 通过中高温热场的合理配置,提高晶片的纵向均匀性,有利于提高成品率。 本项目所设计的水平单晶炉是一种多段式两温区炉,只有热场配置合理即温度梯 度合适才有可能生长出合格单晶,公司技术人员经过反复实验、比较、不断优化, 设计出了合理热场,优化了温度分布,为提高单晶生长成品率、实现该工艺的产 业化创造了又一个有利条件。本项目中,单晶生长采用两步法,即:先合成多晶然后再一次备料生长单 晶,备好的多晶放入两温区多段加热炉中生长单晶(谓之无砷端生长技术)。两 温区炉高温区温度为~℃。中温区为~℃。这种加热结构既 得到所需的温度分布,又可抑制生长过程中Si的污染。 Si污染是由于舟、石英管都是石英即SiO材料、易于使Si并入熔体和单 晶中。抑制Si污染的机理是: 在GaAs合成和晶体生长中,高温区发生熔体中的Ga与石英反应 Ga(L)+SiO(S)=Si(S)+GaO(g,资料来源:关于国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc查询结果由帮帮文库提供。

6、度、财务管理制度、销售管理制度、技术开发奖励制度等。实行物质奖励与 精神奖励相结合,奖酬激励、人才使用激励与企业文化激励相结合,短期激励与 长期激励相结合的综合激励方式。自公司成立以来,凭借自身雄厚的实力和良好 的管理体制,在国内外用户中树立了良好的形象。这为本项目的顺利实施提供了 制度上的保障。 第二章技术可行性分析 项目技术路线、工艺设备的合理性和成熟性、关键技术 的先进性 项目技术路线 多晶合成单晶生长晶体加工 工艺流程为:NGa+NAs装管、脱氧封管多晶合成(约小时)多 晶清洁处理封管(余As掺杂剂、放籽晶)装入单晶炉单晶生长(~天) (熔料、接籽晶、走车生长单晶、降温、出炉)晶体测试 工艺及设备的合理性和成熟性、自行设计的HBGaAs单晶生长系统 本项目研发生产采用自行设计的水平砷化镓单晶生长系统,该生长系统在国 际上未见成型产品,本项目单位根据多年工艺、技术积累,选用精密的温控仪表 (欧陆智能式温控仪)和机械传动系统(双向,更多与《??国家火炬计划水平砷化镓单晶材料产业化项目立项投资分析报告.doc_精品资料》相关内容,请网站搜索。

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